LCD液晶屏所用透明导电玻璃是指在普通玻璃的—个表面镀有透明导电膜的玻璃。最早的透明导电膜的商品名为NESA膜，它是为制造防止飞机舷窗结冻和制造监视加热液体内部反应情况的透明反应管而研制的，它的成分是SnO₂。但SnO₂透明导膜不易刻蚀。现在采甩的ITO(1ndiumTin Oxide氧化铟锡)的成分是In₂O₃和SnO₂，ITO膜是在In₂O₃的晶核中掺人高价Sn的阳离予，掺杂的量以Sn的含量为10％重量比最佳。ITO是一种半导体透明导电材料、禁带宽度为3eV以上，具有两个施主能级，为n型施主能级，离导带很近，自由电子密度=10²⁰~10²¹个/cm³；迁移率为10—30 cm³/v.s。所以电阻率很低，可低至l0^-4Ω.cm量级。

   用Sn⁺⁴离子占据晶格中In⁺³离子的位置，会形成一个正1价电荷中心和1个多余的价电子,这个价电子挣脱了束缚便成为导电电子。

一般的玻璃材料为钠钙玻璃，这种玻璃衬底与ITO之间要求有1层SiO₂阻挡层，似阻挡玻璃中的钠离子渗透。因ITO膜生产过程中，玻璃衬底处于150'℃~300℃温度下，如果玻璃中的钠离子扩散进入ITO膜中，形成受主能级，对施主起补偿作用,引起导电性能下降。如果玻璃村底为无钠硼硅玻璃；，则可不用SiO₂阻挡层。对于某些高档产晶的制造，有时需在ITO外层加1层SiO₂层，这是为了增加横向的绝缘性。

在玻璃衬底上制备透明导电膜的方法有喷雾法、涂覆法、浸渍法、真空蒸发法、溅射法等多种。目前大生产中主要用直流磁控溅射法，气功以稳定，膜的质量好，但靶材料利用率只有25％-30％。现在已开发出使用交流电源驱动磁场移动的方法，可使靶材料利用率增至 40％左右。

    溅射靶材过去用高纯铟锡合金，其比例为Sn／(In+Sn)=8％~13％，合金熔点为173℃。现在直接采用氧化铟锡靶镀膜工艺，但ITO靶比铟锡合金靶贵得多，目前还是靠进口-的。